Publication de Pr. Mohamed Siaj dans Physical Review Letters

Les travaux effectués par une équipe de quatre professeurs (Thomas Szkopek, Guillaume Gervais, Richard Martel etMohamed Siaj), inter-disciplinaire (chimie, physique, génie électrique), inter-universitaire (McGill, UdeM, UQAM), et également inter-regroupementaire (RQMP/CQMF) viennent d’être publiés dans le journal Physical Review Letters.

Ces travaux concernent les résultats de leur étude sur l’effet Hall quantique dans graphène hydrogéné.

Quantum Hall Effect in Hydrogenated Graphene : The quantum Hall effect is observed in a two-dimensional electron gas formed in millimeter-scale hydrogenated graphene, with a mobility less than 10  cm2/V·s and corresponding Ioffe-Regel disorder parameter (kFλ)-1≫1. In a zero magnetic field and low temperatures, the hydrogenated graphene is insulating with a two-point resistance of the order of 250h/e2. The application of a strong magnetic field generates a negative colossal magnetoresistance, with the two-point resistance saturating within 0.5% of h/2e2 at 45 T. Our observations are consistent with the opening of an impurity-induced gap in the density of states of graphene. The interplay between electron localization by defect scattering and magnetic confinement in two-dimensional atomic crystals is discussed.

Source : http://prl.aps.org/abstract/PRL/v110/i17/e176801.
PDF: http://prl.aps.org/pdf/PRL/v110/i17/e176801.

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